Galaxy S26 Edge trang bị chip Snapdragon 8 Elite Gen 2 vượt mặt iPhone 17 Pro Max

Galaxy S26 Edge: Mỏng hơn, pin lớn hơn và hiệu năng vượt trội

Galaxy S26 Edge dự kiến là 1 trong 3 mẫu thuộc dòng Galaxy S26 mà Samsung sẽ ra mắt năm tới. Theo các rò rỉ, máy mỏng hơn Galaxy S25 Edge nhưng đi kèm viên pin dung lượng lớn hơn.

Mới đây, phiên bản Galaxy S26 Edge dành cho thị trường Mỹ (mã SM-S947U) xuất hiện trên cơ sở dữ liệu Geekbench, xác nhận sử dụng Snapdragon 8 Elite Gen 2 – con chip cao cấp mới nhất của Qualcomm, kết hợp 12GB RAM và Android 16 (One UI 8.0).

Chip Snapdragon 8 Elite Gen 2: Sức mạnh ấn tượng trên bảng điểm Geekbench

Snapdragon 8 Elite Gen 2 có CPU 8 nhân gồm 2 nhân Prime xung tối đa 4,74GHz và 6 nhân hiệu năng cao xung tối đa 3,63GHz, đi kèm GPU Adreno 840.

Kết quả Geekbench 6 cho thấy, Galaxy S26 Edge đạt 3.393 điểm đơn nhân và 11.515 điểm đa nhân, vượt qua iPhone 16 Pro Max. Đáng chú ý, máy chỉ chạy ở mức xung tối đa 4GHz, chưa khai thác hết tiềm năng con chip. Khi đạt xung tối đa 4,74GHz, Galaxy S26 Edge được kỳ vọng có thể so kè trực tiếp với iPhone 17 Pro Max và chip A19 Pro 3nm.

Về GPU, Snapdragon của Qualcomm đã nhiều lần vượt dòng A-series của Apple, do đó S26 Edge có thể sở hữu khả năng xử lý đồ họa mạnh hơn iPhone 17 Pro Max.

Rò rỉ cấu hình và tính năng Galaxy S26 Edge

Các nguồn tin trước đây tiết lộ Galaxy S26 Edge sẽ có:

Màn hình: OLED 6,7 inch, tần số quét 120Hz

Camera trước: 12MP

Camera sau: 200MP chính + 50MP góc siêu rộng

RAM: 12GB

Bộ nhớ: 256GB hoặc 512GB

Pin: 4.200mAh, sạc nhanh 45W

Kết nối: GPS, Wi-Fi 7, Bluetooth 5.4, UWB, NFC, USB 3.2 Type-C

Âm thanh: Loa stereo

Bảo vệ: Chuẩn IP68 chống nước, chống bụi

Sạc không dây: Qi2 Ready